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          博泰

          專注于ALD/CVD前驅體電子材料的研發及產業化

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          半導體ALD/CVD前驅體

          半導體用ALD/CVD前驅體

                半導體ALD/CVD前驅體是半導體薄膜沉積工藝的核心關鍵原材料,能夠通過化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)和原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)制備金屬/氧化物/氮化物薄膜,用于90nm-14nm甚至7nm先進技術節點的集成電路制造工藝,被廣泛應用于高端芯片制造,包括邏輯芯片、AI芯片、5G芯片、大容量存儲器和云計算芯片等。安徽博泰掌握了多種ALD/CVD前驅體材料的生產技術,并且具備規模化生產能力,可提供包括三甲基鋁在內的多種產品。

          這是描述信息

          半導體ALD/CVD前驅體

          產品名稱

          BDEAS 雙(二乙基氨基)硅烷

          <STRONG>應用</STRONG></br>
          在DRAN、NAND芯片制作過程中,用于低溫氧化硅膜(ALD-SiO<sub>2</sub>)沉積,作為SAPD/SAQP光刻圖案化犧牲層</br>
          <STRONG>純度</STRONG></br>
          >99.9999%(6N)</br>
          <STRONG>包裝規格</STRONG></br>
          13kg/19L
          產品名稱

          DIPAS 二異丙基氨基硅烷

          <STRONG>應用</STRONG></br>
          在DRAN、NAND芯片制作過程中,用于低溫氧化硅膜(ALD-SiO<sub>2</sub>)沉積,作為SAPD/SAQP光刻圖案化犧牲層</br>
          <STRONG>純度</STRONG></br>
          >99.9999%(6N)</br>
          <STRONG>包裝規格</STRONG></br>
          13kg/19L
          產品名稱

          TSA 三硅基氮烷

          <STRONG>應用</STRONG></br>
          CVD-Si</br>
          <STRONG>純度</STRONG></br>
          >99.9999%(6N)</br>
          <STRONG>包裝規格</STRONG></br>
          10kg/44L
          產品名稱

          HCDS 六氯乙硅烷

          <STRONG>應用</STRONG></br>
          DRAM/NAND 低溫 SiO<sub>2</sub></br>
          <STRONG>純度</STRONG></br>
          > 99.9999%(6N)</br>
          <STRONG>包裝規格</STRONG></br>
          2.41kg/14.2kg/72kg/300kg
          產品名稱

          3DMAS 三(二甲基胺基)硅烷

          <STRONG>應用</STRONG></br>
          DRAM/NAND 中溫沉積SiO<sub>2</sub>層間絕緣膜;TOPCon電池超薄隧穿氧化層(SiO<sub>2</sub>)</br>
          <STRONG>純度</STRONG></br>
          >99.9999%(6N)</br>
          <STRONG>包裝規格</STRONG></br>
          2.41kg/14.2kg/72kg/300kg
          產品名稱

          DEMS 二乙氧基甲基硅烷

          <STRONG>應用</STRONG></br>
          在半導體制作過程中,用于碳氧化硅膜(SiCO:H) 沉積</br>
          <STRONG>純度</STRONG></br>
          >99.9999%(6N)</br>
          <STRONG>包裝規格</STRONG></br>
          13.5kg
          產品名稱

          OMCTS 八甲基環四硅氧烷

          <STRONG>應用</STRONG></br>
          在半導體制作過程中,用于碳氧化硅膜(SiCO:H) 沉積</br>
          <STRONG>純度</STRONG></br>
          >99.9999%(6N)</br>
          <STRONG>包裝規格</STRONG></br>
          205kg
          產品名稱

          3MS 三甲基硅烷

          <STRONG>應用</STRONG></br>
          在半導體制作過程中,用于碳氧化硅膜(SiCO:H)、碳氮化硅膜(SiCN:H)沉積</br>
          <STRONG>純度</STRONG></br>
          >99.9999%(6N)</br>
          <STRONG>包裝規格</STRONG></br>
          20kg/44L
          產品名稱

          4MS 四甲基硅烷

          <STRONG>應用</STRONG></br>
          在半導體制作過程中,用于碳氧化硅膜(SiCO:H) 沉積</br>
          <STRONG>純度</STRONG></br>
          >99.9999%(6N)</br>
          <STRONG>包裝規格</STRONG></br>
          19L/110L
          產品名稱

          BTBAS 雙(叔丁基氨基)硅烷

          <STRONG>應用</STRONG></br>
          3D NAND Tox-SiO<sub>2</sub>薄膜;TOPCon電池超薄隧穿氧化層(SiO<sub>2</sub>)</br>
          <STRONG>純度</STRONG></br>
          >99.9999%(6N)</br>
          <STRONG>包裝規格</STRONG></br>
          2.41kg/14.2kg/72kg/300kg
          產品名稱

          D1 二甲基氨基三甲氧基硅烷

          <STRONG>應用</STRONG></br>
          在半導體制作過程中,用于氧化硅膜(SiO<sub>2</sub>)沉積</br>
          <STRONG>純度</STRONG></br>
          >99.9999%(6N)</br>
          <STRONG>包裝規格</STRONG></br>
          16kg/19L
          產品名稱

          TMA 三甲基鋁

          <STRONG>應用</STRONG></br>
          在半導體、OLED、LED、太陽能電池制作過程中,用于氧化鋁膜(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)沉積</br>
          <STRONG>純度</STRONG></br>
          >99.999%(5N)</br>
          <STRONG>包裝規格</STRONG></br>
          2.41kg/14.2kg/72kg/300kg
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