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半導體用ALD/CVD前驅體
半導體ALD/CVD前驅體是半導體薄膜沉積工藝的核心關鍵原材料，能夠通過化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）和原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）制備金屬/氧化物/氮化物薄膜，用于90nm-14nm甚至7nm先進技術節點的集成電路制造工藝，被廣泛應用于高端芯片制造，包括邏輯芯片、AI芯片、5G芯片、大容量存儲器和云計算芯片等。安徽博泰掌握了多種ALD/CVD前驅體材料的生產技術，并且具備規模化生產能力，可提供包括三甲基鋁在內的多種產品。
半導體ALD/CVD前驅體
BDEAS 雙（二乙基氨基）硅烷
<STRONG>應用</STRONG></br>
在DRAN、NAND芯片制作過程中，用于低溫氧化硅膜（ALD-SiO<sub>2</sub>)沉積，作為SAPD/SAQP光刻圖案化犧牲層</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
13kg/19L
在DRAN、NAND芯片制作過程中，用于低溫氧化硅膜（ALD-SiO<sub>2</sub>)沉積，作為SAPD/SAQP光刻圖案化犧牲層</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
13kg/19L
DIPAS 二異丙基氨基硅烷
<STRONG>應用</STRONG></br>
在DRAN、NAND芯片制作過程中，用于低溫氧化硅膜（ALD-SiO<sub>2</sub>)沉積，作為SAPD/SAQP光刻圖案化犧牲層</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
13kg/19L
在DRAN、NAND芯片制作過程中，用于低溫氧化硅膜（ALD-SiO<sub>2</sub>)沉積，作為SAPD/SAQP光刻圖案化犧牲層</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
13kg/19L
TSA 三硅基氮烷
<STRONG>應用</STRONG></br>
CVD-Si</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
10kg/44L
CVD-Si</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
10kg/44L
HCDS 六氯乙硅烷
<STRONG>應用</STRONG></br>
DRAM/NAND 低溫 SiO<sub>2</sub></br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞ 99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
2.41kg/14.2kg/72kg/300kg
DRAM/NAND 低溫 SiO<sub>2</sub></br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞ 99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
2.41kg/14.2kg/72kg/300kg
3DMAS 三（二甲基胺基）硅烷
<STRONG>應用</STRONG></br>
DRAM/NAND 中溫沉積SiO<sub>2</sub>層間絕緣膜；TOPCon電池超薄隧穿氧化層（SiO<sub>2</sub>）</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
2.41kg/14.2kg/72kg/300kg
DRAM/NAND 中溫沉積SiO<sub>2</sub>層間絕緣膜；TOPCon電池超薄隧穿氧化層（SiO<sub>2</sub>）</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
2.41kg/14.2kg/72kg/300kg
DEMS 二乙氧基甲基硅烷
<STRONG>應用</STRONG></br>
在半導體制作過程中，用于碳氧化硅膜（SiCO:H) 沉積</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
13.5kg
在半導體制作過程中，用于碳氧化硅膜（SiCO:H) 沉積</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
13.5kg
OMCTS 八甲基環四硅氧烷
<STRONG>應用</STRONG></br>
在半導體制作過程中，用于碳氧化硅膜（SiCO:H) 沉積</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
205kg
在半導體制作過程中，用于碳氧化硅膜（SiCO:H) 沉積</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
205kg
3MS 三甲基硅烷
<STRONG>應用</STRONG></br>
在半導體制作過程中，用于碳氧化硅膜（SiCO:H)、碳氮化硅膜（SiCN:H)沉積</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
20kg/44L
在半導體制作過程中，用于碳氧化硅膜（SiCO:H)、碳氮化硅膜（SiCN:H)沉積</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
20kg/44L
4MS 四甲基硅烷
<STRONG>應用</STRONG></br>
在半導體制作過程中，用于碳氧化硅膜（SiCO:H) 沉積</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
19L/110L
在半導體制作過程中，用于碳氧化硅膜（SiCO:H) 沉積</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
19L/110L
BTBAS 雙（叔丁基氨基）硅烷
<STRONG>應用</STRONG></br>
3D NAND Tox-SiO<sub>2</sub>薄膜；TOPCon電池超薄隧穿氧化層（SiO<sub>2</sub>）</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
2.41kg/14.2kg/72kg/300kg
3D NAND Tox-SiO<sub>2</sub>薄膜；TOPCon電池超薄隧穿氧化層（SiO<sub>2</sub>）</br>
<STRONG>純度</STRONG></br>
＞99.9999%（6N)</br>
<STRONG>包裝規格</STRONG></br>
2.41kg/14.2kg/72kg/300kg
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